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等離子技術(shù)在芯片失效分析(IC failure analysis)領(lǐng)域的應(yīng)用- 開(kāi)封(Decap)與去層(Depassivation)

時(shí)間:2024-01-28  點(diǎn)擊次數(shù):3343

 

 

        失效分析(FA是利用各種方法檢測(cè)設(shè)備的失效位置和失效模式的技術(shù)。需要及時(shí)反饋有關(guān)這些故障的信息,以提高生產(chǎn)中設(shè)備的質(zhì)量和可靠性。

        開(kāi)封(解封)/去層是整個(gè)FA程序中的關(guān)鍵技術(shù)之一。該技術(shù)用于去除鈍化并揭示設(shè)備的底層以供后續(xù)檢查。酸脫蓋和等離子脫蓋技術(shù)廣泛用于脫封。使用硝酸和硫酸等溶液進(jìn)行酸脫蓋是一種有用的鈍化去除技術(shù),但有時(shí)會(huì)導(dǎo)致銅線和鋁線等金屬線腐蝕。使用干法蝕刻技術(shù)的等離子體脫蓋工藝比酸性脫蓋工藝慢,但這些工藝可以去除特定的材料層,并以高選擇性揭示底層和金屬線。本文主要對(duì)失效分析領(lǐng)域涉及芯片開(kāi)封和去層的等離子技術(shù)進(jìn)行簡(jiǎn)要介紹

 

 

等離子芯片開(kāi)封(Decap

 

        我們知道,在芯片失效分析領(lǐng)域,常見(jiàn)的開(kāi)封方式,一般包括機(jī)械開(kāi)封、化學(xué)開(kāi)封以及激光開(kāi)封.(具體可參看:常見(jiàn)芯片開(kāi)封技術(shù)及儀器簡(jiǎn)介)各種方式之間也各有不同的特點(diǎn),但等離子開(kāi)封因?yàn)槠?ldquo;慢工出細(xì)活”的特點(diǎn),在高端芯片領(lǐng)域獲得了

其原理是通過(guò)電場(chǎng)功率將反應(yīng)氣體離子化后與需要去除的材料接觸并產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)而揮發(fā)??傮w上屬于化學(xué)開(kāi)封,也有同時(shí)采用化學(xué)和物理機(jī)制的。

優(yōu)點(diǎn)是沒(méi)有物理應(yīng)力,精細(xì)化程度高,不攻擊敏感材料,可到達(dá)細(xì)孔凹陷部位。

缺點(diǎn)是速度慢,價(jià)格昂貴。

該領(lǐng)域的專用設(shè)備供應(yīng)商主要來(lái)自歐洲和美國(guó)。

 

 

 

等離子去層(Depassivation -RIE

 

 集成電路的芯片制造過(guò)程是通過(guò)掩模、光刻、離子注入、氣相沉積、電鍍、化學(xué)機(jī)械研磨(CMP)、腐蝕等多達(dá)幾十、上百道工序,在硅襯底表面生長(zhǎng)出有著特定邏輯功能的物理圖形,這些物理圖形從材質(zhì)上包括Al、CuTi、TiNW等金屬材料,以及單晶Si和多晶Si、SiO2Si3N4等非金屬材料[1]。

 

集成電路在制造、試驗(yàn)和應(yīng)用過(guò)程中不可避免地會(huì)因?yàn)橹圃旃に?、測(cè)試和環(huán)境應(yīng)力、用戶使用、壽命損耗等各種因素發(fā)生失效[2]。失效分析工程師需要通過(guò)各種方法定位失效位置,查找失效原因,剖析失效機(jī)理,在失效分析過(guò)程中需要對(duì)失效的集成電路進(jìn)行去層解剖分析。芯片去層制備是在了解集成電路芯片制造工藝的基礎(chǔ)上,采用化學(xué)腐蝕、機(jī)械研磨、離子刻蝕等技術(shù)手段逐層去除芯片各物理層次結(jié)構(gòu)的過(guò)程。

 

集成電路芯片的去層制備過(guò)程包括對(duì)表層玻璃鈍化層的去除、金屬化層的去除、阻擋層的去除、中間介質(zhì)層的去除、底層多晶層的去除和有源區(qū)的制備。根據(jù)制造工藝和材料的差異,一般可以選用離子刻蝕、化學(xué)腐蝕和機(jī)械研磨等方法。目前反應(yīng)離子刻蝕法(RIE)因?yàn)槠洫?dú)特的優(yōu)勢(shì)已被設(shè)備制造商和FA實(shí)驗(yàn)室廣泛,目前市場(chǎng)上相應(yīng)品牌的產(chǎn)品也相當(dāng)成熟,如日本SAMCO,英國(guó)Oxford.以目前在國(guó)內(nèi)市占率較高的日本SAMCO為例:(代表機(jī)型10NR

 

1、可處理具有高選擇性和高縱橫比的各種材料

●  Si(在埋入氧化物

●  BOX 處的蝕刻停止)

●  氧化物

●  硼硅酸鹽玻璃 BSG)、磷硅酸鹽玻璃 PSG 和硼磷硅酸鹽玻璃 BPSG

●  蝕刻停止在塊體 Si 處)

●  氮化物

●  金屬間電介質(zhì) IMD

●  層間電介質(zhì) ILD

●  低介電

●  聚酰亞胺

●  環(huán)氧的

●  高分子薄膜

 

2、鋁線成功暴露,沒(méi)有分層和侵蝕。該技術(shù)能夠?qū)?fù)雜結(jié)構(gòu)的芯片進(jìn)行逐層去鈍化和故障檢測(cè)。

 

3System Lineup from Die to 300 mm for Plasma Decapsulation 適應(yīng)最高到300mm的對(duì)象尺寸(4~12寸)

 

4、Endpoint Detection for Precise and Repeatable Etch Stop終點(diǎn)檢測(cè),實(shí)現(xiàn)精確且可重復(fù)的蝕刻停止

為了實(shí)現(xiàn)可靠的去鈍化工藝,需要精確的蝕刻停止。Samco 提供用于去鈍化的可選終點(diǎn)點(diǎn)檢測(cè)系統(tǒng)。該系統(tǒng)能夠?qū)Πㄑ趸锖偷镌趦?nèi)的薄膜和透明薄膜進(jìn)行精確的厚度監(jiān)測(cè)。它可實(shí)現(xiàn)可重復(fù)的全自動(dòng)處理。

 

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