Oxford RIE反應離子刻蝕機PlasmaPro 80
PlasmaPro 80是一種結(jié)構(gòu)緊湊、小尺寸且使用方便的直開式系統(tǒng)，可以提供多種刻蝕和沉積的解決方案。 它易于放置，便于使用，且能確保工藝性能。直開式設(shè)計可實現(xiàn)快速晶圓裝卸，是研究和小批量生產(chǎn)的理想選擇。 它通過優(yōu)化的電極冷卻和出色的襯底溫度控制來實現(xiàn)高質(zhì)量的工藝。
● 直開式設(shè)計允許快速裝卸晶圓
● 出色的刻蝕控制和速率測定
● 出色的晶圓溫度均勻性
● 晶圓可達200mm
● 購置成本低
● 符合半導體行業(yè) S2 / S8標準
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應 用 ● III-V族材料刻蝕工藝 ● 硅 Bosch和超低溫刻蝕工藝 ● 類金剛石（DLC）沉積 ● 二氧化硅和石英刻蝕 ● 用特殊配置的PlasmaPro FA設(shè)備進行失效分析的干法刻蝕解剖工藝，可處理封裝好的芯片, 裸晶片，以及200mm晶圓 ● 用于高亮度LED生產(chǎn)的硬掩模的刻蝕
系統(tǒng)特點 ● 小型系統(tǒng) —— 易于安置
● 優(yōu)化的電極冷卻系統(tǒng) —— 襯底溫度控制
● 高導通的徑向（軸對稱）抽氣結(jié)構(gòu) —— 確保能提升工藝均勻性和速率
● 增加<500毫秒的數(shù)據(jù)記錄功能 —— 可追溯腔室和工藝條件的歷史記錄
● 近距離耦合渦輪泵 —— 抽速高迅速達到所要求的低真空度
● 關(guān)鍵部件容易觸及 ——系統(tǒng)維護變得直接簡單
● X20控制系統(tǒng)——大幅提高了數(shù)據(jù)信息處理能力， 并且可以實現(xiàn)更快更可重復的匹配
● 通過前端軟件進行設(shè)備故障診斷 —— 故障診斷速度快
● 用干涉法進行激光終點監(jiān)測 —— 在透明材料的反射面上測量刻蝕深度 （例如硅上的氧化物），或者用反射法來確定非透明材料（如金屬）的邊界
● 用發(fā)射光譜（OES）實現(xiàn)較大樣品或批量工藝的終點監(jiān)測 —— 監(jiān)測刻蝕副產(chǎn)物或反應氣體的消耗量的變化，以及用于腔室清洗的終點監(jiān)測
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RIE of InP waveguide
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7 µm polyimide feature RIE
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Sub µm Si mesa etch
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Deep Si feature etch by ICP-RIE
cryo process
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Failure analysis - fast metal layer
exposure in the PlasmaPro FA ICP
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新增: PTIQ軟件
PTIQ是針對PlasmaPro和Ionfab工藝系統(tǒng)而開發(fā)的新智能軟件解決方案。
● 對響應系統(tǒng)出色的控制水平
● 系統(tǒng)性能與工藝性能高
● 多級別軟件配置以匹配用戶需求
● 全新的視覺布局與設(shè)計界面
